Виберіть країну або регіон.

Close
Увійти Реєструйся Електронна пошта:[email protected]
0 Item(s)

APEC: потужність SiC і поліпшені хмарні засоби

Можливості пошуку були покращені, і є меню карусельного стилю, що дозволяє вибирати сумісні пристрої та плати, сказали в фірмі: «Інженери здатні звузити життєздатні компоненти та системні рішення і бути впевненими в роботі системи постачання обладнання та завершення їх конструкцій. "

Демонстрації на АТЕС включають в себе карбід кремнію (SiC) 11 кВт трифазний трифазний міст PFC (коректор коефіцієнта потужності), побудований навколо NVHL080N120SC1 SiC MOSFET (1,200V,> 30A, ~ 80mΩ, TO247) і NCP51705 воріт воріт - який включає заряд-насос для створення негативного зміщення, щоб включати SiC MOSFET вимкнення.

OnSemi-eFuseНа напівфазі

Також на дисплеї будуть представлені eFuse, «розумні пасивні датчики» для промислової автоматизації, USB-PD (потужність доставки), щільність з високою щільністю, схема активного замикання і модулі живлення драйверів двигуна.

Для популяризації Страта буде представлений документ, амбіційно названий «Задоволення списку побажань дизайнера з усіма потрібними інструментами в одному наборі інструментів» (19 березня 13:30 Зал 303AB).

Ще одна презентація: «Ефективність, надійність та врахування врожайності в сучасних технологіях SiC-діод і мос-транзистори під час розгортання» (середа, 20 березня, 14:00, перевірте місце розташування)